Блог викладача Потягайло Тетяни Миколаївни

Вільям Шоклі, Уолтер Браттейн і Джон Бардін, працюючи командою в лабораторіях Bell Labs, 16 грудня 1947 року створили перший працездатний біполярний транзистор, який був продемонстрований вченими офіційно і публічно 23 грудня того ж року. Це був точковий транзистор. За свій винахід в 1956 році Вільям Шоклі, Джон Бардін і Уолтер Браттейн отримали Нобелівську премію з фізики «За дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту»

Робота польового транзистора в основі своїй використовує електростатичний ефект поля, фізично це простіше, тому і сама ідея польових транзисторів з’явилася раніше, ніж ідея біполярних транзисторів. Перший польовий транзистор був вперше виготовлений в 1960 році. Ближче до 90–х років минулого століття, МОП–технологія (технологія польових транзисторів «метал–оксид–напівпровідник») стала домінувати в багатьох галузях, включаючи IT–сферу.

Транзистори замінили собою вакуумні лампи, відбулася справжня «кремнієва революція» в створенні інтегральних мікросхем.